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真空蒸發鍍膜是在真空環境下，實驗室設備定制公司用蒸發器加熱膜材使之氣化，膜材蒸發的粒子流直接射向基片并在基片上沉積，形成固態薄膜的技術。真空蒸發鍍膜的基本原理如下圖所示：
真空蒸發鍍膜原理圖
1-基片加熱器 2-真空室 3-基片架 4-基片 5-膜材 6-蒸發舟 7-蒸發熱源 8-排氣口 9-密封圈 10-擋板 11-膜材蒸氣流
將膜材置于真空室內的蒸發源中，在高真空條件下，實驗室設備定制公司通過蒸發源將膜材加熱并蒸發，當蒸氣分子的自由程遠大于真空室的線性尺寸以后，膜材蒸氣的原子和分子從蒸發源表面逸出后，很少受到其它分子或者原子的沖擊阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度低，膜材分子凝結其上而成膜。
在整個過程中最重要的一個條件便是足夠的真空條件。如果沒有足夠的真空度，膜材粒子在飛行過程中必然會受到其它氣體分子的碰撞而改變方向使得大部分離子發生散射大大降低了鍍膜過程的效率和質量。因此，真空腔體內殘余氣體分子的自由程大于蒸發源和基片之間的距離是有效蒸鍍的必要條件。
殘余氣體分子自由程的計算方法如下：
λ=（6.65×10-1）/p
其中p為室溫下的真空壓力，單位為Pa。λ是分子自由程，單位cm。
可以計算當真空壓力為10-2Pa時，分子自由程為66.5cm，而目前常見的蒸鍍設備的蒸距（膜材到基片的距離）為50cm，因此實驗室設備定制公司真空室的起始真空度高于10-2Pa是實現真空蒸鍍的基礎條件。
試驗表明，當分子自由程等于蒸距時（即λ=L）63%的蒸發分子會發生碰撞，當分子自由程增加10倍時，散射粒子減少到9%。因此提高真空度增加分子自由程是提高鍍膜質量和效率的重要措施。
另外，實驗室設備定制公司要進一步提高鍍膜的質量和純度，必須使得膜材粒子到達基片的速率遠大大于殘余氣體分子到達基片的速率。這需要優化設計合理的真空抽氣系統和鍍膜室的結構來實現。
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